Samsung tar pakken av MRAM-minne neste måned

I juli i fjor kunngjorde Samsung og IBM at de hadde utviklet en ny prosess for å produsere en ikke-flyktig RAM, kalt MRAM som er opp til 100.000 ganger raskere enn NAND-blits. Vel, hvis man skal tro på rapportene, vil den sørkoreanske giganten avdekke MRAM-minnet neste måned på Foundry Forum-arrangementet.

MRAM står for magnetoresistivt RAM og produseres ved hjelp av Spin-transfer moment-teknologi. Dette vil igjen føre til minnekretser med lav kapasitet for mobile enheter som for øyeblikket bruker NAND flash for å lagre data.

Denne STT-MRAM bruker veldig mindre strøm når den er på og lagrer informasjon. Når RAM-en ikke er aktiv, bruker den ikke strøm fordi minnet ikke er ustabilt. Så det forventes mye at denne MRAM skal brukes av produsenter til applikasjoner med lavt strømforbruk.

I følge Samsung er produksjonskostnadene for innebygd DRAM billigere enn for flashminne. Til tross for MRAMs mindre størrelse, er hastigheten også raskere enn normale flashminner. Dessverre klarer ikke Samsung å produsere mer enn noen få megabyte av minnet akkurat nå. I den nåværende tilstanden er MRAM bare god nok til å være brukes som hurtigbufferminne til søknadsprosessorer.

Samsungs Foundry Forum Event er planlagt å bli holdt 24. mai, og det er forhåpentligvis når vi får mer informasjon om Samsungs kommende MRAM. Det er rapportert at Samsungs LSI-forretningsavdeling har utarbeidet en prototype av en SoC som har MRAM innebygd, som sannsynligvis også vil bli avduket ved samme arrangement.